Транзистор n-канальный МОП КП509Б9 предназначен для использования в телекоммуникационной и измерительной технике, вторичных источниках постоянного тока и напряжения, ограничителях тока, средствах автоматизации и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Зарубежный прототип BSS131. Обозначение технических условий АДКБ.432140.090 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-46А (SOT-23)

Назначение выводов
Вывод	Назначение
№1	Сток
№2	Затвор
№3	Исток

Основные электрические параметры КП509 (Токр.ср.=25°С)
Параметры	Обозн.	Ед.изм.	Группа	Режимы измерения	Min	Max
Пробивное напряжение	Uпроб	В	А9, Б9	Uзи = 0 В, Iс = 250 мкА	240
			В9	Uзи = 0 В, Iс = 250 мкА	200
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии *	Rси отк	Ом	А9, В9	Uзи = 10 В, Iс = 0,1 А		16
				Uзи = 4,5 В, Iс = 0,1 А		26
			Б9	Uзи = 4,5 В, Iс = 0,25 А		8
				Uзи = 1,8 В, Iс = 0,014 А		15
Пороговое напряжение	Uзи поp	В	А9, В9	Uзи = Uси, Iс = 1,0 мА	0,8	2,0
			Б9	Uзи = Uси, Iс = 1,0 мА	0,6	1,2
Крутизна характеристики *	S	А/B	А9, В9	Uси = 10 В, Iс = 0,1 А Uси > 5 В, Iс = 0,25 А	0,06 0,14
			Б9
Остаточный ток стока	Iс ост	мкА	А9	Uси = 240 В, Uзи = 0		1,0
				Uси = 130 В, Uзи=0		0,03
			Б9	Uси = 240 В, Uзи = 0		20
			В9	Uси = 200 В, Uзи = 0		1,0
				Uси = 100 В, Uзи=0		0,03
Ток утечки затвора	Iз ут	нА	А9, В9	Uзи = ±20В		±10
			Б9	Uзи = ±20В		±100
Входная емкость	Cвх	пФ	А9, В9	Uзи = 0В, Uси = 25В, f = 1МГц		80
			Б9			140
Выходная емкость	Cвых	пФ	А9, В9	Uзи = 0В, Uси = 25В, f = 1МГц		12
			Б9			30
Проходная емкость	Cпрох	пФ	А9, В9	Uзи = 0В, Uси = 25В, f = 1МГц		5
			Б9			9

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП509
Параметры	Обозначение	Группа	Ед. изм	Значение
Ток стока *	Iс max	А9, В9	А	0,1
Ток стока *	Iс max	Б9	А	0,25
Импульсный ток стока **	Iс имп max	А9, В9	А	0,4
Импульсный ток стока **	Iс имп max	Б9	А	1,0
Рассеиваемая мощность	Pmax	А9, Б9, В9	Вт	0,36
Напряжение затвор-исток	Uзи max	А9, Б9, В9	В	±14
Пиковое напряжение затвор-исток	Uзи max (пик)	А9, Б9, В9	В	±20
Температура перехода	Тпеp	А9, Б9, В9	°С	-55 150

* измерение параметров проводят при tи 300мкс, Q 50

** длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода

Параметры диода исток-сток КП509 (Токр.ср.=25°С)
Параметры	Обозн.	Ед.изм.	Группа	Режимы измерения	Min	Max
Прямое напряжение диода *	Uпр	В	А9, В9	Ic = -200 мA, Uзи = 0 В
Прямое напряжение диода *	Uпр	В	Б9	Ic = -500 мA, Uзи = 0 В
Постоянный ток диода	Iд	А	А9, В9
Постоянный ток диода	Iд	А	Б9
Импульсный ток диода **	Iд имп	А	А9, В9

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.

Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

курьерская доставка: +1 день;
отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

Южное шоссе, 140А
ул. Вербная, д. 2 лит А
проспект Науки, д. 21, корп.1
ул. Крупской, 29
Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
Кондратьевский проспект, 14/10Б
Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
1-й Верхний переулок, 12б
Латышских Стрелков ул., 31
Кубинская ул., 75к2 лит. 3
Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А