Транзистор «2П7172А-5» кремниевый эпитаксиально–планарный полевой с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом предназначен для использования в специализированных устройствах типа источников вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.

Особенности

Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 C.
Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4.
Масса не более 10 г.

Корпусное исполнение - бескорпусной вариант без кристаллодержателя, без выводов. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.398ТУ.

Надежность

95 - процентный ресурс - 50 000 ч.
Минимальная наработка - 25 000 ч.
Срок сохраняемости - 25 лет.

Условия эксплуатации

Категорически запрещается превышение предельно – допустимых значений электрических режимов и условий эксплуатации. Не допускается применения полевых транзисторов при совмещении двух или более предельно- допустимых электрических режимов, как в процессе изготовления, настройки и испытания аппаратуры, так и в процессе ее эксплуатации. В целях повышения РЭА рекомендуется использовать транзисторы в режимах и условиях эксплуатации с коэффициентом нагрузки по напряжению и по мощности в пределах 0,7 – 0,8. В разрабатываемой или модернизируемой аппаратуре недопустим подбор полевых транзисторов по отдельным параметрам, характеристикам, дате и месту изготовления.

При проектировании аппаратуры следует учитывать, что параметры полевых транзисторов могут изменяться в некоторых пределах под влиянием температуры, в зависимости от электрического режима, под действием ионизирующих излучений, в зависимости от времени наработки. При использовании полевых транзисторов в устройствах с большим входным сопротивлением и работающих в значительном диапазоне температур, следует учитывать зависимость тока стока от температуры. В связи с тем, что транзисторы с изолированным затвором чувствительны к электрическим перенапряжениям на затворе, даже если эти напряжения вызваны маломощным источником, необходимо принимать меры по предотвращению этих перенапряжений. Необходимо предусматривать меры по защите от статического электричества в соответствии с ОСТ 11 073.062 - 2001. Допустимое значение статического потенциала не более 200 В.

Технические характеристики
Наименование	Буквенное обозначение	Норма
Наименование	Буквенное обозначение	не менее	не более
Остаточный ток стока (UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В), мкА	IС. ост	-	250
Ток утечки затвора, мкА (UЗИ = ± 20 В, UСИ = 0 В)	IЗ. ут	-	±3
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (UЗИ = 10 В, IС = 20 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом	RСИ. отк	-	0,08
Пороговое напряжение (UЗИ = UCИ, IС = 250 мкА), В	UЗИ. пор	2,0	4,5
Постоянное прямое напряжение диода (UЗИ = 0 В, IС = - 30 А, tи 300 мкс, Q 50), В	Uпр	-	1,0

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.

Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

курьерская доставка: +1 день;
отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

Южное шоссе, 140А
ул. Вербная, д. 2 лит А
проспект Науки, д. 21, корп.1
ул. Крупской, 29
Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
Кондратьевский проспект, 14/10Б
Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
1-й Верхний переулок, 12б
Латышских Стрелков ул., 31
Кубинская ул., 75к2 лит. 3
Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А