Прецизионные источники опорного напряжения 142ЕР1Н4ИМ
Микросхемы интегральные 142ЕР1Н4ИМ - регулируемые стабилизаторы напряжения параллельного типа, предназначенные для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения, в частности, для работы в источниках вторичного электропитания. Категория качества ВП.
Обозначение технических условий АЕЯР.431420.365-01ТУ. Диапазон рабочих температур от – 60 до + 125С. Корпусное исполнение: кристаллы на общей пластине для 142ЕР1Н4ИМ.
Требования по стойкости к воздействию специальных факторов
Микросхемы должны быть стойкими к воздействию специальных факторов с характеристиками 7И1,7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4 - по группе исполнения 1Ус, 7К1, 7К4 - по группе исполнения 1К.
Требования к специальным факторам с характеристиками 7И4, 7И10, 7И11, 7С3, 7С6, 7К3, 7К6, 7К9, 7К10, 7К11, 7К12 не предъявляются.
Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов с характеристиками 7И1, 7И6 временная потеря работоспособности микросхем. По истечении 2 мс от начала воздействия работоспособность восстанавливается.
Уровень бессбойной работы по характеристике 7И8 должен быть не хуже 0.001х1Ус.
Критерием работоспособности микросхем является параметр относительное изменение минимального напряжения стабилизации UК min и приводится в ТУ исполнения.
Микросхемы обладают электрической прочностью к воздействию одиночных импульсов напряжения с параметрами:
- длительность импульса 1 мкс.
Требования по надежности
Наработка до отказа в режимах и условиях эксплуатации, допускаемых ТУ, при температуре окружающей среды не более (65+5)С не менее 100000 ч и не менее 120000 ч в следующем облегченном режиме: Токр = (65+5)С, Р.
Указания по эксплуатации
При монтаже микросхем должны исключаться передача усилий на корпус микросхемы, а также попадание на корпус флюса и припоя.
Порядок подачи и снятия входных сигналов на микросхемы должен быть следующим:
- на анод;
- на управляющий электрод;
- на катод;
- снятие в обратном порядке.
Обозначение микросхем при заказе
Микросхема 142ЕР1Н4ИМ АЕЯР.431420.365-01 ТУ, РД 11 0723.
| Параметры | Значение |
| Диаметр пластины, мм | 100 |
| Размер кристалла, мм | 1,35х0,99 |
| Толщина пластины, мм | 0,42 |
| Металлизация планарной стороны | Al - Si (1%) |
| Непланарная сторона | подложка p-типа |
| Пассивация | Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло |
Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.
Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».
В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.
Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».
Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.
- курьерская доставка: +1 день;
- отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.
Точки самовывоза:
- Южное шоссе, 140А
- ул. Вербная, д. 2 лит А
- проспект Науки, д. 21, корп.1
- ул. Крупской, 29
- Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
- ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
- Кондратьевский проспект, 14/10Б
- Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
- 1-й Верхний переулок, 12б
- Латышских Стрелков ул., 31
- Кубинская ул., 75к2 лит. 3
- Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А
