Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 2Т839А/ИМ предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.
Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения. Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 10,3 кГц. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч. 95-процентный ресурс транзистора Т в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч. Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура припоя не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.
Особенности
- Категория качества ВП.
- Напряжение коллектор-база 1500 В.
- Ток коллектора 10 А.
- Мощность коллектора 65 Вт.
Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.254 ТУ. Корпусное исполнение - металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).
Конструктивные требования
- Масса транзистора не более 20 г.
- Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
- Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
- Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 500 В) | IКБО | - | 0,2 | 25±10 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | - | 1,0 | 125±5 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | - | 1,0 | 60±3 |
| Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В) | IЭБО | - | 10 | 25±10 |
| Статический коэффициент передачи тока (UКЭ = 10 В, IК = 4 А, tи 300 мкс, Q 50)* | h21Э | 5 | 25±10 | |
| Граничное напряжение, В (IК = 100 мА, L = 40 мГн) | UКЭО гр | 700 | - | 25±10 |
| Время спада, мкс (IК = 5 А, IБ1 = IБ2 = 1,8 А, UКЭ = 500 В, tИ1 = tИ2= 50 мкс) | tсп | 1,5 | - | 25±10 |
| * В схеме с общей базой: UКБ = 9,0 В, IЭ = 4,8 А. | ||||
Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.
Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».
В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.
Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».
Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.
- курьерская доставка: +1 день;
- отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.
Точки самовывоза:
- Южное шоссе, 140А
- ул. Вербная, д. 2 лит А
- проспект Науки, д. 21, корп.1
- ул. Крупской, 29
- Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
- ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
- Кондратьевский проспект, 14/10Б
- Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
- 1-й Верхний переулок, 12б
- Латышских Стрелков ул., 31
- Кубинская ул., 75к2 лит. 3
- Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А
