Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП750А предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Зарубежные прототипы – IRF640, IRF641, IRF642, IRL640. Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 150°C. Обозначение технических условий АДБК 432140.685 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220).

Назначение выводов
Вывод	Назначение
№1	Затвор
№2	Сток
№3	Исток

Основные электрические параметры КП750
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Пороговое напряжение	Uзи поp	В	Iс=0,25мА,Uзи=Uси	2,0	4,0
КП750А-В				2,0	4,0
КП750Г				1,0	2,0
Ток стока КП750А,Б КП750В, КП750Г	Iс	А	tи50 Uси=4,0B,Uзи=10В Uси=4,4B,Uзи=10В Uси=4,0B,Uзи= 5В	18,0 16,0 18,0
Сопротивление сток-исток в	Rси отк	Ом	tи50		0,18
открытом состоянии			Iс=11А,Uзи=10В		0,18
КП750А,Б
КП750В			Iс=11А,Uзи=10В		0,22
КП750Г			Iс=11А,Uзи= 5В		0,18
Остаточный ток стока	Iс ост	мкА	Uси= Uси max,Uзи=0		250
Ток утечки затвора	Iз ут.	нА	tи50 Uси=0,Uзи= Uзи max	-100	+100
Крутизна ВАХ КП750А-В КП750Г	S	А/B	tи50 Uси=25В,Iс=11А Uси=25В,Iс=11А	6,7 7,5
Время включения/выключения	* tвкл/ tвыкл	нс	tи 300мкс, Q 50, Uси=100В,Iс=Icmax Rг=9,1Ом,Rси=5,4Ом		65/80
Тепловое сопротивление переход-корпус	* Rt п-к	°С/Вт			1,0
Тепловое сопротивление переход-среда	* Rt п-с	°С/Вт			62
Емкость: КП750А.Б,В входная выходная проходная КП750Г входная выходная проходная	*C11и/C22и C12и	пФ	Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц		1800 600 180 2450 600 180
Прямое напряжение диода КП750А,Б,Г КП750В	Uпр	В	Uзи=0, Ic= 18A Uзи=0, I=16A		2,0 1,9

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП750
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Предельные значения
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	А	Б	В	Г
Напряжение сток-исток	Uси max	В	200	150	200	200
Напряжение затвор-исток	Uзи max	В	±20	±20	±20	±10
Постоянный ток стока при Тк=25 С	Iс max	А	18	18	16	18
Постоянный ток стока при Тк=100 С	Ic max	А	11	11	10	11
Импульсный ток стока	Iс и max	А	72	72	64	72
Рассеиваемая мощность	Pmax	Вт	125	125	125	125
Температура перехода	Тпер	°С	150	150	150	150

В диапазоне температур корпуса от 25 до 100 °С максимально-допустимая рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле Pmax = (Тпер max-Ткорп)/ R t п-к

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.

Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

курьерская доставка: +1 день;
отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

Южное шоссе, 140А
ул. Вербная, д. 2 лит А
проспект Науки, д. 21, корп.1
ул. Крупской, 29
Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
Кондратьевский проспект, 14/10Б
Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
1-й Верхний переулок, 12б
Латышских Стрелков ул., 31
Кубинская ул., 75к2 лит. 3
Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А