Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП744Г предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Зарубежные прототипы – IRF520, IRF521, IRF522, IRL520. Обозначение технических условий АДБК 432140.679 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220).

Назначение выводов
Вывод	Назначение
№1	Затвор
№2	Сток
№3	Исток

Основные электрические параметры КП744
Параметры	Обозначение	Ед.изм.	Режимы измерения	Min	Max
Пороговое напряжение	Uзи поp	В	Iс=250мкА,Uзи=Uси	2,0	4,0
КП744А,Б,В				2,0	4,0
КП744Г				1,0	2,0
Ток стока КП744А,Б КП744В КП744Г	Iс	А	tи 300мкс, Q 50 Uси=3,0B,Uзи=10В Uси=3,3B,Uзи=10В Uси=4,0B,Uзи=5В	9,2 8,0 9,2
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии КП744А,Б КП744В КП744Г КП744Г	Rси отк	Ом	tи 300мкс, Q 50 Iс=5,5А,Uзи=10В Iс=5,5А,Uзи=10В Iс=4,6А,Uзи=4В Iс=5,5А,Uзи=5В		0,27 0,36 0,38 0,27
Остаточный ток стока	Iс ост	мкА	Uси=Uси max,Uзи=0		250
Ток утечки затвора	Iз ут	нА	Uси=0,Uзи=±20В	-100	+100
КП744А,Б,В			Uси=0,Uзи=±20В	-100	+100
КП744Г			Uси=0,Uзи=±10В	-100	+100
Крутизна ВАХ КП744А,Б,В КП744Г	S	А/B	tи 300мкс, Q 50 Uси=25В,Iс=5,5А	2,7 3,2
Прямое напряжение диода	Uпр	В	tи 300мкс, Q 50		1,8
КП744А,Б			Ic=-9,2A,Uзи=0		1,8
КП744В			Ic=-8,0A,Uзи=0		1,8
КП744Г			Ic=-9,2A,Uзи=0		2,5
Время включения/выключения КП744А,Б,В КП744Г	* tвкл/ tвыкл	нс	tи 300мкс, Q 50, Uси=50В,Iс=Ic max Rг=18 Ом,Rс=5,2 Ом Rг=9Ом		58/57 90/80
Тепл.сопрот. переход-корпус	* Rt п-к	°С/Вт			2,5
Входная емкость КП744А,Б,В КП744Г	* C11и	пФ	Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц		470 650
Выходная емкость КП744А,Б,В КП744Г	* C22и	пФ	Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц		195 200
Проходная емкость	* C12и	пФ	Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц		70

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП744
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Предельные значения
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	А	Б	В	Г
Напряжение сток-исток	Uси max	В	100	80	100	100
Напряжение затвор-исток	Uзи max	В	±20	±20	±20	±10
Постоянный ток стока	Iс max	А	9.2	9.2	8.0	9,2
Импульсный ток стока	Iс и max	А	37	37	32	36
Рассеиваемая мощность	Pmax	Вт	60	60	60	60
Прямой ток диода	Iпр. max	А	9.2	9.2	8.0	9,2
Температура перехода	Тпеp	°С	175	175	175	175

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.

Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

курьерская доставка: +1 день;
отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

Южное шоссе, 140А
ул. Вербная, д. 2 лит А
проспект Науки, д. 21, корп.1
ул. Крупской, 29
Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
Кондратьевский проспект, 14/10Б
Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
1-й Верхний переулок, 12б
Латышских Стрелков ул., 31
Кубинская ул., 75к2 лит. 3
Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А