Бескорпусная интегральная микросхема «К1330НК1Н4» - диодно-резисторная сборка для защиты регуляторов напряжения автомобильной электроники от импульсов перенапряжения. Обозначение технических условий АДКБ.431410.148 ТУ.

Корпусное исполнение

кристаллы на общей пластине;
кристаллы разделенные, в индивидуальной таре.

Требования к устойчивости при климатических воздействиях

Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ 11 073.920, в том числе:

пониженная рабочая температура среды минус 45 С;
повышенная рабочая температура среды 125 С;
изменения температуры среды от минус 60 до 125 С.

Требования к надежности

Наработка микросхем в составе ГС (микросборок) 25000 ч.
Срок сохраняемости микросхем до момента их герметизации в составе ГС по ОСТ 11 073.920.
95-процентный срок сохраняемости в составе ГС (микросборок) 10 лет.

Указания по применению и эксплуатации

При производстве ГС (микросборок) после скрайбирования, установки в корпус, присоединения выводов при соблюдении требований ОСТ 11 073.920 и ТУ микросхема должна соответствовать требованиям ОСТ 11 073.920 и ТУ в течение времени минимальной наработки и сохраняемости. Допустимое значение статического потенциала 2000 В. Степень жесткости – VI по ОСТ 11 073.062. Допустимое количество контактирований к контактным площадкам в процессе разварки не более 1.

Технические характеристики
Наименование	Буквенное обозначение	Норма
		Предельно-допустимый режим
		не менее	не более
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, В * ( tи = 400 мс, N = 10 импульсов, интервал 1 мин.)	Uобр и, п	-	170
Максимальный прямой ток, А	Iпр max	-	5
Максимально допустимая рассеиваемая мощность, Вт ** Ткор = ( 45 125) °С	Рmax	-	7,5
Температура кристалла, С	Ткр	-	150
* Форма импульса – экспоненциальная со спадом от U = 170 В до U = 90 В длительностью 10 мкс и со спадом от U = 90 В до U = 14 В длительностью 400 мс. Импульсы должны подаваться между выводом 01 и соединенными между собой выводами 02 и 03. ** Параметр обеспечивается конструкцией блока, в котором применяется микросхема.

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.

Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

курьерская доставка: +1 день;
отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

Южное шоссе, 140А
ул. Вербная, д. 2 лит А
проспект Науки, д. 21, корп.1
ул. Крупской, 29
Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
Кондратьевский проспект, 14/10Б
Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
1-й Верхний переулок, 12б
Латышских Стрелков ул., 31
Кубинская ул., 75к2 лит. 3
Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А