Кремниевый высоковольтный транзистор 2Т847А-5/ИМ
Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные N-P-N транзисторы 2Т847А-5/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными) предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей и применяемых в аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 100 С. Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.312 ТУ.
Конструктивное исполнение
- бескорпусное исполнение;
- кристаллы на общей пластине 100 мм неразделенные;
- масса одного транзистора – не более 0,05 г.
Требования к устойчивости при специальных воздействиях
- Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018.
- Характеристики С3, И1 - И3, К1, К3 по 1У.
Справочные данные
- 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
- 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.
Требования к устойчивости при климатических воздействиях Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:
- повышенная рабочая температура корпуса 100 С;
- смена температуры среды от минус 60 до 125 С.
Условия эксплуатации
При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками. Не допускается повторное присоединение вывода к контактной площадке.
Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
не менее | не более | |||
Обратный ток коллектора (UКБ = 650 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IКБО | - | 5 | 25±10 |
Обратный ток эмиттера (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IЭБО | - | 100 | 25±10 |
Граничное напряжение (IК = 0,1 А, tи = (0,3-1,0 мс, Q 50), В | UКЭО гр | - | 390 | 25±10 |
Статический коэффициент передачи тока1) (UКЭ = 3 В, IК = 15 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50) | h21Э |
8
5 5 |
25±10
100±5 -60±3 |
|
Обратный ток эмиттера1 (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IЭБО | - | 100 | 25±10 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1) (IК = 15 А, IБ = 5 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В | UКЭ нас | - | 1,5 | 25±10 |
Граничное напряжение1) (IК = 0,1 А, LК = 40 мГн), В | UКЭО гр | 360 | - | 25±10 |
Время спада1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс | tсп | - | 0,8 | 25±10 |
Время рассасывания1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс | tрас | - | 3,0 | 25±10 |
1) Параметры, нормы для которых установлены для транзисторов в составе ГС (микросборок). |

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.
Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».
В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.
Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».
Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.
- курьерская доставка: +1 день;
- отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.
Точки самовывоза:
- Южное шоссе, 140А
- ул. Вербная, д. 2 лит А
- проспект Науки, д. 21, корп.1
- ул. Крупской, 29
- Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
- ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
- Кондратьевский проспект, 14/10Б
- Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
- 1-й Верхний переулок, 12б
- Латышских Стрелков ул., 31
- Кубинская ул., 75к2 лит. 3
- Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А