Кремниевый высоковольтный транзистор 2Т847А-5/ИМ

Голосов пока нет
Производитель: 

Под заказ

Количество

Только под заказ

Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные N-P-N транзисторы 2Т847А-5/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными) предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей и применяемых в аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 100 С. Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.312 ТУ.

Конструктивное исполнение

  • бескорпусное исполнение;
  • кристаллы на общей пластине 100 мм неразделенные;
  • масса одного транзистора – не более 0,05 г.

Требования к устойчивости при специальных воздействиях

  • Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018.
  • Характеристики С3, И1 - И3, К1, К3 по 1У.

Справочные данные

  • 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
  • 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.

Требования к устойчивости при климатических воздействиях Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:

  • повышенная рабочая температура корпуса 100 С;
  • смена температуры среды от минус 60 до 125 С.

Условия эксплуатации

При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками. Не допускается повторное присоединение вывода к контактной площадке.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Обратный ток коллектора (UКБ = 650 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IКБО - 5 25±10
Обратный ток эмиттера (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IЭБО - 100 25±10
Граничное напряжение (IК = 0,1 А, tи = (0,3-1,0 мс, Q 50), В UКЭО гр - 390 25±10
Статический коэффициент передачи тока1) (UКЭ = 3 В, IК = 15 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50) h21Э 8

5

5

  25±10

100±5

-60±3

Обратный ток эмиттера1 (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IЭБО - 100 25±10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1) (IК = 15 А, IБ = 5 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В UКЭ нас - 1,5 25±10
Граничное напряжение1) (IК = 0,1 А, LК = 40 мГн), В UКЭО гр 360 - 25±10
Время спада1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс tсп - 0,8 25±10
Время рассасывания1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс tрас - 3,0 25±10
1) Параметры, нормы для которых установлены для транзисторов в составе ГС (микросборок).

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.

Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

  • курьерская доставка: +1 день;
  • отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

  • Южное шоссе, 140А
  • ул. Вербная, д. 2 лит А
  • проспект Науки, д. 21, корп.1
  • ул. Крупской, 29
  • Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
  • ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
  • Кондратьевский проспект, 14/10Б
  • Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
  • 1-й Верхний переулок, 12б
  • Латышских Стрелков ул., 31
  • Кубинская ул., 75к2 лит. 3
  • Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А