Кремниевый транзистор 2П7172А

Голосов пока нет
Категория: 
Производитель: 

Под заказ

Количество

Только под заказ

Транзистор 2П7172А кремниевый эпитаксиально – планарный полевой с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом предназначен для использования в специализированных устройствах типа источников вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 C.
  • Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4.
  • Масса не более 10 г.

Корпусное исполнение - металлостеклянный корпус TO-254 (КТ-97В). Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.398ТУ.

Надежность

  • 95 - процентный ресурс - 50 000 ч.
  • Минимальная наработка - 25 000 ч.
  • Срок сохраняемости - 25 лет.

Условия эксплуатации

Категорически запрещается превышение предельно – допустимых значений электрических режимов и условий эксплуатации. Не допускается применения полевых транзисторов при совмещении двух или более предельно- допустимых электрических режимов, как в процессе изготовления, настройки и испытания аппаратуры, так и в процессе ее эксплуатации. В целях повышения РЭА рекомендуется использовать транзисторы в режимах и условиях эксплуатации с коэффициентом нагрузки по напряжению и по мощности в пределах 0,7 – 0,8. В разрабатываемой или модернизируемой аппаратуре недопустим подбор полевых транзисторов по отдельным параметрам, характеристикам, дате и месту изготовления. При проектировании аппаратуры следует учитывать, что параметры полевых транзисторов могут изменяться в некоторых пределах под влиянием температуры, в зависимости от электрического режима, под действием ионизирующих излучений, в зависимости от времени наработки. При использовании полевых транзисторов в устройствах с большим входным сопротивлением и работающих в значительном диапазоне температур, следует учитывать зависимость тока стока от температуры. В связи с тем, что транзисторы с изолированным затвором чувствительны к электрическим перенапряжениям на затворе, даже если эти напряжения вызваны маломощным источником, необходимо принимать меры по предотвращению этих перенапряжений. Необходимо предусматривать меры по защите от статического электричества в соответствии с ОСТ 11 073.062 - 2001. Допустимое значение статического потенциала не более 200 В.

При проектировании, производстве и эксплуатации РЭА необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы транзисторов с тем, чтобы температура кристалла была минимальной и не превышала максимально - допустимую. Во всех случаях рекомендуется принимать меры, обеспечивающие снижение температуры нагрева транзистора. Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаком (в 3-4 слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 –90 или ЭП-730 ГОСТ 20824 - 81 с последующей сушкой каждого слоя. Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 С.Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий.

Технические характеристики
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Остаточный ток стока

(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В), мкА

(UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В), мкА

(UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В), мкА

IС. ост -

-

-

250

1000

250

25±10

125±5

-60±3

Ток утечки затвора

(UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В), нА

IЗ. ут - ±100 25±10
Ток стока (UЗИ = 10 В,UСИ = 2,2 В, tи 300 мкс, Q 50), А 30 - 25±10
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (UЗИ = 10 В, IС = 20 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом RСИ. отк - 0,05 25±10
Крутизна характеристики (UСИ = 25 В, IС = 20 А, tи 300 мкс, Q 50), А/В S 14 - 25±10
Пороговое напряжение (UЗИ = UCИ, IС = 250 мкА), В UЗИ. пор 2,0 4,5 25±10
Постоянное прямое напряжение диода (UЗИ = 0 В, IС = - 30 А, tи 300 мкс, Q 50), В Uпр - 1,6 25±10

Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.

Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

  • курьерская доставка: +1 день;
  • отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

  • Южное шоссе, 140А
  • ул. Вербная, д. 2 лит А
  • проспект Науки, д. 21, корп.1
  • ул. Крупской, 29
  • Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
  • ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
  • Кондратьевский проспект, 14/10Б
  • Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
  • 1-й Верхний переулок, 12б
  • Латышских Стрелков ул., 31
  • Кубинская ул., 75к2 лит. 3
  • Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А