Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913А

Голосов пока нет
Категория: 
Производитель: 

Под заказ

Количество

Только под заказ

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор «2Т913А» в металлическом корпусе. Предназначен для использования в усилителях мощности, умножителях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С.

Обозначение технических условий

  • Я53.365.010ТУ,
  • Я53.365.010ТУ/Д1

Корпусное исполнение - корпус КТ-16-2.

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Единица измерения Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 55
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10Ом) Uкэ max В 55
Напряжение эмиттер-база Uэб max С 3,5
Постоянный ток коллектора Iк max А 0,5
Температура перехода Тj C 150
       

Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.

  • курьерская доставка: +1 день;
  • отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.

Точки самовывоза:

  • Южное шоссе, 140А
  • ул. Вербная, д. 2 лит А
  • проспект Науки, д. 21, корп.1
  • ул. Крупской, 29
  • Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
  • ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
  • Кондратьевский проспект, 14/10Б
  • Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
  • 1-й Верхний переулок, 12б
  • Латышских Стрелков ул., 31
  • Кубинская ул., 75к2 лит. 3
  • Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А