Кремниевые транзисторы 2П7145Б1/ИМ
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы «2П7145Б1/ИМ» предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения
Зарубежные прототипы - IRFP250 фирмы International Rectifier.
Особенности
- UСИ = 200 В,
- RСИ = 0,085 Ом,
- IС = 30 А,
- встроенный диод,
- диапазон рабочих температур от – 60 до + 125 С,
- категория качества ВП.
Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТ-97С (ТО-258).
Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.295ТУ, РД 11 0723. Масса транзисторов не более 10 г.
Требования надежности
Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в режимах и условиях, допускаемых ТУ -25000ч. Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в облегченных режимах РК = 0,7 РКмах, Ткорп = (100±5) С– 50000 ч. Групповой показатель безотказности - интенсивность отказов при испытании в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых ТУ, ( и) при доверительной вероятности Р* = 0,6 не более 10-6 1/ч. Минимальный срок сохраняемости 25 лет по ГОСТ В 28146.
Условия эксплуатации
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий. Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт.
| Параметры | Буквенное обозначение | Норма |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток, В | UСИ mах | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-сток, В | UЗС mах | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В | UЗИ mах | ±20 |
| Максимально допустимый постоянный ток стока (Ткорп = 25 °С, Uзи = 10 В, Uси = 4 В), А * | IС mах | 26 |
| Максимально допустимый импульсный ток стока (tи 80 мкс, Q 300), А * | IC(и) mах | 104 |
| Максимально допустимая рассеиваемая мощность при Ткорп = от минус 60 до 25 °С, Вт* 1 | Рmах | 150 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт | R пер-кор | 0,83 |
| Максимально допустимая температура перехода (кристалла), С | Тпер mах | 150 |
Завод «Транзистор» - предприятие Беларуси, производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в том числе специализированных - для нужд оборонного производства и космической отрасли.
Реализуют систему команд микроЭВМ «Электроника-60».
В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90, МК-92, МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80). В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92, имевших широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также интегральные стабилизаторы серии 78хх.
Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».
Срок доставки в Санкт-Петербурге - от 2 дней.
- курьерская доставка: +1 день;
- отгрузка складских позиций в течении 1 дня после оплаты.
Точки самовывоза:
- Южное шоссе, 140А
- ул. Вербная, д. 2 лит А
- проспект Науки, д. 21, корп.1
- ул. Крупской, 29
- Стачек пр., 45/2 (пересечение Ново-Овсянниковской ул. и Баррикадной ул.)
- ул. Белградская, 52к1,А, пом. 4Н
- Кондратьевский проспект, 14/10Б
- Виллозское городское поселение, территория ЗАО «Предпортовый», 11 (на пересечении Волхонского ш. и ул. Промышленной)
- 1-й Верхний переулок, 12б
- Латышских Стрелков ул., 31
- Кубинская ул., 75к2 лит. 3
- Воздухоплавательная ул, дом № 19, литера А
